Laserstrukturierung von Zinn-Resist

Herstellung von Feinstleitern (50 μm Lines/Spaces) durch Laserstrukturierung von Chemisch Zinn (Zinn-Resist-Technologie)

Die fotolithographische Strukturbelichtung setzt der geforderten Steigerung der Auflösung des Leiterbildes, insbesondere im High Density Interconnect-Bereich (HDI) physikalisch und ökonomisch Grenzen.

In der konventionellen Filmbelichtung können auf Grund von Materialverzügen in den Innen- und Außenlagen sowie den Filmen selbst Registrierungs- und Positionierungsprobleme die Ausbeute in der Leiterplatte maßgeblich herabsetzen. Häufig werden hohe Integrationsdichten innerhalb einer Lage einer HDI-Leiterplatte nur in einzelnen Bereichen gefordert.

Während ein Großteil der Fläche konventionell fotolithographisch hergestellt werden kann, bietet sich hier die Zinn-Resist-Technologie als eine effiziente Alternative an, die eine wirtschaftliche Herstellung von Bereichen der Leiterplatte mit 50 μm Strukturbreiten und -abständen mit hoher Ausbeute ermöglicht.


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